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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Numero più probabile: | BSC123N08NS3G | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoria: | MOSFET | Dimensione: | 1*5.15*5.9mm |
| Evidenziare: | MOSFET 80V di alto potere,MOSFET 11A di alto potere,BSC123N08NS3G |
||
| UE RoHS | Soddisfacente rispetto all'esenzione |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Stato della parte | Attivo |
| SVHC | Sì |
| SVHC supera la soglia | Sì |
| Automobilistico | Sconosciuto |
| PPAP | Sconosciuto |
| Categoria di prodotto | MOSFET di potere |
| Tecnologia della trasformazione | OptiMOS |
| Configurazione | Fonte tripla del singolo scolo del quadrato |
| Modo di Manica | Potenziamento |
| Tipo di Manica | N |
| Numero degli elementi per chip | 1 |
| Tensione massima di fonte dello scolo (v) | 80 |
| Tensione di fonte di portone massima (v) | ±20 |
| Corrente continua massima dello scolo (A) | 11 |
| Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm) | 12.3@10V |
| Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone | 19@10V |
| Tassa tipica @ 10V (nC) del portone | 19 |
| Capacità introdotta tipica @ Vds (PF) | 1430@40V |
| Dissipazione di potere massima (Mw) | 2500 |
| Tempo di caduta tipico (NS) | 4 |
| Tempo di aumento tipico (NS) | 18 |
| Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS) | 19 |
| Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS) | 12 |
| Temperatura di funzionamento minima (°C) | -55 |
| Temperatura di funzionamento massima (°C) | 150 |
| Pin Count | 8 |
| Nome del imballaggio di serie | FIGLIO |
| Pacchetto del fornitore | PE DI TDSON |
| Montaggio | Supporto di superficie |
| Altezza del pacchetto | 1 |
| Lunghezza del pacchetto | 5,15 |
| Larghezza del pacchetto | 5,9 |
| Il PWB è cambiato | 8 |
| Forma del cavo | Nessun cavo |
Persona di contatto: peter
Telefono: +8613211027073
