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Archiviazione di dati di memoria flash

Archiviazione di dati di memoria flash

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Cina Il microchip 512K di archiviazione di dati di memoria flash 24LC512-I/SM ha morso 64Kx8 fabbrica

Il microchip 512K di archiviazione di dati di memoria flash 24LC512-I/SM ha morso 64Kx8
Contatto

Microchip 24LC512-I/SMCaratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) EAR99 Stato della parte Attivo Automobilistico Nessun PPAP Nessun Chip Density (pezzo) 512K Organizzazione 64Kx8 ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:07
Cina 24LC256-I/SM pezzo 32K x del microchip I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 metropolitana di Pin SOIJ fabbrica

24LC256-I/SM pezzo 32K x del microchip I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 metropolitana di Pin SOIJ
Contatto

24LC256-I/SM microchip EEPROM Serial-I2C 256K-bit 32K x 8 metropolitana di 3.3V/5V 8-Pin SOIJCaratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) EAR99 Stato della parte Attivo Automobilistico ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina Archiviazione di dati di memoria flash 24LC01B-I/SN, pezzo di serie 3.3V/5V di Eeprom 1K del microchip fabbrica

Archiviazione di dati di memoria flash 24LC01B-I/SN, pezzo di serie 3.3V/5V di Eeprom 1K del microchip
Contatto

24LC01B-I/SN microchip EEPROM Serial-2Wire SOIC N di 1K-bit 128 x 8 metropolitana di 3.3V/5V 8-PinCaratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) EAR99 Stato della parte Attivo Automobilisti... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina 24LC64T-I/SN microchip DI SERIE Spi EEPROM 64KBIT 400KHZ, SOIC-8 fabbrica

24LC64T-I/SN microchip DI SERIE Spi EEPROM 64KBIT 400KHZ, SOIC-8
Contatto

24LC64T-I/SN microchip EEPROM DI SERIE, 64KBIT, 400KHZ, SOIC-8Caratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) EAR99 Stato della parte Attivo Automobilistico Nessun PPAP Nessun Chip Density ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina Archiviazione di dati di memoria flash di MT29GZ5A5BPGGA 046IT, MCP di NAND Based Micron fabbrica

Archiviazione di dati di memoria flash di MT29GZ5A5BPGGA 046IT, MCP di NAND Based Micron
Contatto

A MCP basato a NAND del micron di MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JCaratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) 3A991.b.1.a Stato della parte Attivo NTA 8542.32.00.71 Automobilistico Nessun PPAP ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina Multi Chip Package Memory MCP di KMQE60013B-B318 SAMSUNG fabbrica

Multi Chip Package Memory MCP di KMQE60013B-B318 SAMSUNG
Contatto

Memoria del pacchetto del Multi-chip di KMQE60013B-B318 SAMSUNG (MCP)Caratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Fornitore non confermato Stato della parte Attivo Automobilistico Nessun PPAP Nessun Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina Archiviazione di dati SAMSUNG SMD di memoria flash KMFN60012B-B214 fabbrica

Archiviazione di dati SAMSUNG SMD di memoria flash KMFN60012B-B214
Contatto

Archiviazione di dati SMD di memoria flash di KMFN60012B-B214 SAMSUNG Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina MCP UE RoHS di NAND Based del micron di MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J compiacente fabbrica

MCP UE RoHS di NAND Based del micron di MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J compiacente
Contatto

A MCP basato a NAND del micron di MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JCaratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) 3A991.b.1.a Stato della parte Attivo NTA 8542.32.00.71 Automobilistico Nessun PPAP ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina MT29TZZZ8D5JKERL--MCP mobile LPDDR3 di archiviazione di dati 8GB EMMC 8Gb di memoria flash 107W.95E fabbrica

MT29TZZZ8D5JKERL--MCP mobile LPDDR3 di archiviazione di dati 8GB EMMC 8Gb di memoria flash 107W.95E
Contatto

MT29TZZZ8D5JKERL--107W.95E eMMC del micron 8GB e MCP mobile 8Gb LPDDR3Caratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) 3A991b.1.a. Stato della parte Obsoleto Automobilistico Nessun PPAP ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
Cina TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallelo 1.8V 1G ha morso 128M x 8 67 Pin VFBGA fabbrica

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallelo 1.8V 1G ha morso 128M x 8 67 Pin VFBGA
Contatto

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA di 1G-bit 128M x 8Caratteristiche tecniche del prodotto UE RoHS Compiacente ECCN (US) 3A991.b.1.a Stato della parte Attivo Automobilistico ... Leggi di più Miglior prezzo
2022-03-15 14:43:06
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