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Dettagli:
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Numero più probabile: | IPD90R1K2C3 | MFR: | Infineon |
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Categoria: | MOSFET | Dimensione: | 2.41*6.73*6.22mm |
Evidenziare: | MOSFET di alto potere IPD90R1K2C3,Pin del MOSFET 3 di alto potere,Modulo N-CH di AMPAK Wifi |
UE RoHS | Soddisfacente rispetto all'esenzione |
ECCN (US) | EAR99 |
Stato della parte | Attivo |
SVHC | Sì |
SVHC supera la soglia | Sì |
Automobilistico | Nessun |
PPAP | Nessun |
Categoria di prodotto | MOSFET di potere |
Configurazione | Singolo |
Tecnologia della trasformazione | CoolMOS |
Modo di Manica | Potenziamento |
Tipo di Manica | N |
Numero degli elementi per chip | 1 |
Tensione massima di fonte dello scolo (v) | 900 |
Tensione di fonte di portone massima (v) | ±20 |
Tensione massima della soglia del portone (v) | 3,5 |
Temperatura di giunzione di funzionamento (°C) | -55 - 150 |
Corrente continua massima dello scolo (A) | 5,1 |
Corrente massima di perdita di fonte del portone (Na) | 100 |
IDSS massimo (uA) | 1 |
Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm) | 1200@10V |
Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone | 28@10V |
Tassa tipica @ 10V (nC) del portone | 28 |
Capacità introdotta tipica @ Vds (PF) | 710@100V |
Dissipazione di potere massima (Mw) | 83000 |
Tempo di caduta tipico (NS) | 40 |
Tempo di aumento tipico (NS) | 20 |
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS) | 400 |
Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS) | 70 |
Temperatura di funzionamento minima (°C) | -55 |
Temperatura di funzionamento massima (°C) | 150 |
Imballaggio | Nastro e bobina |
Tensione di fonte di portone positiva massima (v) | 20 |
Tensione di andata del diodo massimo (v) | 1,2 |
Pin Count | 3 |
Nome del imballaggio di serie | TO-252 |
Pacchetto del fornitore | DPAK |
Montaggio | Supporto di superficie |
Altezza del pacchetto | 2,41 (massimo) |
Lunghezza del pacchetto | 6,73 (massimo) |
Larghezza del pacchetto | 6,22 (massimo) |
Il PWB è cambiato | 2 |
Linguetta | Linguetta |
Forma del cavo | Gabbiano-ala |
Persona di contatto: peter
Telefono: +8613211027073