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Casa Prodotti Crystal Electronic Component

MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del trasporto di FDS6812A FAIRCHILD

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MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del trasporto di FDS6812A FAIRCHILD

Grande immagine : MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del trasporto di FDS6812A FAIRCHILD Miglior prezzo

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	FAIRCHILD
Numero di modello:	FDS6812A

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	100
Prezzo:	Pls contact sales for updated price
Imballaggi particolari:	2500
Tempi di consegna:	7-15 giorni
Termini di pagamento:	paypal, T/T
Capacità di alimentazione:	10K

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Numero più probabile:	FDS6812A	MFR:	FAIRCHILD
Categoria di prodotto:	MOSFET di potere	Nome del imballaggio di serie:	SOP8

Caratteristiche tecniche del prodotto

UE RoHS

Compiacente

ECCN (US)

EAR99

Stato della parte

Obsoleto

Automobilistico

Nessun

PPAP

Nessun

Categoria di prodotto

MOSFET di potere

Configurazione

Scolo doppio doppio

Modo di Manica

Potenziamento

Tipo di Manica

Numero degli elementi per chip

Tensione massima di fonte dello scolo (v)

Tensione di fonte di portone massima (v)

±12

Corrente continua massima dello scolo (A)

6,7

Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm)

22@4.5V

Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone

12@4.5V

Capacità introdotta tipica @ Vds (PF)

1082@10V

Dissipazione di potere massima (Mw)

2000

Tempo di caduta tipico (NS)

Tempo di aumento tipico (NS)

Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS)

Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS)

Temperatura di funzionamento minima (°C)

-55

Temperatura di funzionamento massima (°C)

150

Imballaggio

Nastro e bobina

Pacchetto del fornitore

SOIC N

Pin Count

Nome del imballaggio di serie

CONTENTINO

Montaggio

Supporto di superficie

Altezza del pacchetto

1,65 (massimo)

Lunghezza del pacchetto

4,9

Larghezza del pacchetto

3,9

Il PWB è cambiato

Forma del cavo

Gabbiano-ala

Prodotto Tag:

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

Dettagli di contatto

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Persona di contatto: peter

Telefono: +8613211027073

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Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del trasporto di FDS6812A FAIRCHILD

MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del trasporto di FDS6812A FAIRCHILD

Caratteristiche tecniche del prodotto

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

Pin di cristallo di Q13FC1350000400 EPSON 32768 chilociclo 20ppm Tol 12.5pF 2

EXS00A-CS09986 NDK Crystal Electronic Component 19.2MHz 7pF 10ppm SMD2016-4P

Relè 12VDC 36A SPST-NO 30.5x16x20.5mm THT di potere di G6QE-1A DC12 OMRON

Relè meccanico elettrico DPDT 10A 12VDC 650Ohm di AZ733-2C-12D ZETTLER attraverso il foro

XRCGB32M000F1H00R0 Murata 32 megahertz 10ppm di cristallo 6pF 60Ohm 3 in SMD T/R

Pin di cristallo SMD T/R di XRCGB27M120F2P10R0 Murata 27.12MHz 20ppm 10pF 80Ohm 4