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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET ad alta potenza NTTFS4C02N Singolo canale N 30 V 170 A 2,25 mΩ
Contatto

MOSFET NTTFS4C02N singolo N−Channel 30V 170A 2.25mΩ di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e servizio ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 18:09:35

MOSFET ad alta potenza NVH4L020N120SC1 MOSFET a canale N 1200 V 20 mΩ TO247−4L al carburo di silicio
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVH4L020N120SC1 MOSFET a canale N 1200 V 20 mΩ TO247−4L al carburo di silicio [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semicondutto... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

MOSFET NVH4L018N075SC1 di alto potere MΩ 13,5 di Manica 750V del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio TO247−4L
Contatto

MΩ 13,5 di Manica 750V del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio del MOSFET NVH4L018N075SC1 di alto potere TO247−4L [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttor... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

MOSFET NVH4L015N065SC1 di alto potere MΩ TO247−4L di Manica 650V 12 del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVH4L015N065SC1 MOSFET a canale N 650 V 12 mΩ TO247−4L al carburo di silicio [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttor... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

MOSFET NVH082N65S3F di alto potere Singolo mΩ TO-247 di N-Manica 650 V 40 A 82
Contatto

IL MOSFET NVH082N65S3F di alto potere sceglie il mΩ TO-247 di N-Manica 650 la V 40 A 82 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

MOSFET NVH050N65S3F di alto potere MΩ 58A del MOSFET FRFET 650V 50 di N-Manica SUPERFET III
Contatto

MΩ 58A del MOSFET FRFET 650V 50 di N-Manica SUPERFET III del MOSFET NVH050N65S3F di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

MOSFET NVH040N65S3F di alto potere Singolo N-Manica SUPERFET <sup>®</sup> III, FRFET®, 650 mΩ di V 65 A 40, TO-247
Contatto

® III, FRFET®, 650 mΩ di V 65 A 40, TO-247 di N-Manica SUPERFET del MOSFET NVH040N65S3F di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 17:59:50

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Circa noi

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Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET ad alta potenza NVH4L020N120SC1 MOSFET a canale N 1200 V 20 mΩ TO247−4L al carburo di silicio
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MOSFET NVH4L018N075SC1 di alto potere MΩ 13,5 di Manica 750V del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio TO247−4L
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MOSFET NVH4L015N065SC1 di alto potere MΩ TO247−4L di Manica 650V 12 del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio
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MOSFET NVH082N65S3F di alto potere Singolo mΩ TO-247 di N-Manica 650 V 40 A 82
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MOSFET NVH050N65S3F di alto potere MΩ 58A del MOSFET FRFET 650V 50 di N-Manica SUPERFET III
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MOSFET NVH040N65S3F di alto potere Singolo N-Manica SUPERFET <sup>®</sup> III, FRFET®, 650 mΩ di V 65 A 40, TO-247
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MOSFET NVGS5120P di alto potere Singolo P-Manica 60V -2.9A 111mΩ
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MOSFET NVGS4141N di alto potere Singolo N-Manica 30V 7A 25mΩ
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MOSFET NVGS4111P di alto potere Singolo P−Channel 30V -4.7A 60mΩ
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET ad alta potenza NTTFS4C02N Singolo canale N 30 V 170 A 2,25 mΩ Contatto

MOSFET ad alta potenza NVH4L020N120SC1 MOSFET a canale N 1200 V 20 mΩ TO247−4L al carburo di silicio Contatto

MOSFET NVH4L018N075SC1 di alto potere MΩ 13,5 di Manica 750V del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio TO247−4L Contatto

MOSFET NVH4L015N065SC1 di alto potere MΩ TO247−4L di Manica 650V 12 del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio Contatto

MOSFET NVH082N65S3F di alto potere Singolo mΩ TO-247 di N-Manica 650 V 40 A 82 Contatto

MOSFET NVH050N65S3F di alto potere MΩ 58A del MOSFET FRFET 650V 50 di N-Manica SUPERFET III Contatto

MOSFET NVH040N65S3F di alto potere Singolo N-Manica SUPERFET <sup>®</sup> III, FRFET®, 650 mΩ di V 65 A 40, TO-247 Contatto

MOSFET NVGS5120P di alto potere Singolo P-Manica 60V -2.9A 111mΩ Contatto

MOSFET NVGS4141N di alto potere Singolo N-Manica 30V 7A 25mΩ Contatto

MOSFET NVGS4111P di alto potere Singolo P−Channel 30V -4.7A 60mΩ Contatto

MOSFET ad alta potenza NTTFS4C02N Singolo canale N 30 V 170 A 2,25 mΩ
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MOSFET ad alta potenza NVH4L020N120SC1 MOSFET a canale N 1200 V 20 mΩ TO247−4L al carburo di silicio
Contatto

MOSFET NVH4L018N075SC1 di alto potere MΩ 13,5 di Manica 750V del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio TO247−4L
Contatto

MOSFET NVH4L015N065SC1 di alto potere MΩ TO247−4L di Manica 650V 12 del ‐ del MOSFET N del carburo di silicio
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MOSFET NVH082N65S3F di alto potere Singolo mΩ TO-247 di N-Manica 650 V 40 A 82
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MOSFET NVH050N65S3F di alto potere MΩ 58A del MOSFET FRFET 650V 50 di N-Manica SUPERFET III
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MOSFET NVH040N65S3F di alto potere Singolo N-Manica SUPERFET <sup>®</sup> III, FRFET®, 650 mΩ di V 65 A 40, TO-247
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MOSFET NVGS5120P di alto potere Singolo P-Manica 60V -2.9A 111mΩ
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MOSFET NVGS4141N di alto potere Singolo N-Manica 30V 7A 25mΩ
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MOSFET NVGS4111P di alto potere Singolo P−Channel 30V -4.7A 60mΩ
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