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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET NVMTS001N06C di alto potere Singolo MOSFET 60V, 254A, 1.0mΩ di potere di N-Manica
Contatto

MOSFET 60V, 254A, 1.0mΩ di potere di N-Manica del MOSFET NVMTS001N06C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:24

MOSFET NVMS5P02 di alto potere Singolo MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ di potere di Enhancement−Mode di P-Manica
Contatto

MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ di potere di Enhancement−Mode di P-Manica del MOSFET NVMS5P02 di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:24

MOSFET NVMJS3D0N06C di alto potere MOSFET 60 V, 3 mΩ, 150 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET 60 V, 3 mΩ, 150 A, singolo N-Manica di potere del MOSFET NVMJS3D0N06C di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:24

MOSFET NVMJS2D5N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 2,4 mΩ, 155 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET 60 V, 2,4 mΩ, 155 A, singolo N-Manica di potere del MOSFET NVMJS2D5N06CL di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:24

MOSFET NVMJS1D7N06C di alto potere MOSFET 60 V, 1,68 mOhms, 224 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMJS1D7N06C MOSFET di potenza 60 V, 1,68 mOhm, 224 A, canale N singolo [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:24

MOSFET NVMJS1D7N04C di alto potere MOSFET 40 V, 1.7mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMJS1D7N04C MOSFET di potenza 40 V, 1,7 mΩ, 185 A, canale N singolo [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:23

MOSFET NVMJS1D6N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1,36 mOhms, 250 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMJS1D6N06CL MOSFET di potenza 60 V, 1,36 mOhm, 250 A, canale N singolo [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:23

MOSFET NVMJS1D5N04CL di alto potere MOSFET 40 V, 1,55 mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET 40 V, 1,55 mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere del MOSFET NVMJS1D5N04CL di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:23

MOSFET NVMJS1D4N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1.4Ω, 220 A, singolo N-Manica di potere
Contatto

MOSFET 60 V, 1.4Ω, 220 A, singolo N-Manica di potere del MOSFET NVMJS1D4N06CL di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:23

MOSFET NVMJS1D3N04C di alto potere MOSFET di potere, singolo N-Manica, 40 V, 1,3 mOhm, 235 A
Contatto

MOSFET di potere del MOSFET NVMJS1D3N04C di alto potere, singolo N-Manica, 40 V, 1,3 mOhm, 235 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:31:23

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Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET NVMTS001N06C di alto potere Singolo MOSFET 60V, 254A, 1.0mΩ di potere di N-Manica Contatto

MOSFET NVMS5P02 di alto potere Singolo MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ di potere di Enhancement−Mode di P-Manica Contatto

MOSFET NVMJS3D0N06C di alto potere MOSFET 60 V, 3 mΩ, 150 A, singolo N-Manica di potere Contatto

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MOSFET NVMJS1D7N06C di alto potere MOSFET 60 V, 1,68 mOhms, 224 A, singolo N-Manica di potere Contatto

MOSFET NVMJS1D7N04C di alto potere MOSFET 40 V, 1.7mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere Contatto

MOSFET NVMJS1D6N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1,36 mOhms, 250 A, singolo N-Manica di potere Contatto

MOSFET NVMJS1D5N04CL di alto potere MOSFET 40 V, 1,55 mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere Contatto

MOSFET NVMJS1D4N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1.4Ω, 220 A, singolo N-Manica di potere Contatto

MOSFET NVMJS1D3N04C di alto potere MOSFET di potere, singolo N-Manica, 40 V, 1,3 mOhm, 235 A Contatto

MOSFET NVMTS001N06C di alto potere Singolo MOSFET 60V, 254A, 1.0mΩ di potere di N-Manica
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MOSFET NVMS5P02 di alto potere Singolo MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ di potere di Enhancement−Mode di P-Manica
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MOSFET NVMJS3D0N06C di alto potere MOSFET 60 V, 3 mΩ, 150 A, singolo N-Manica di potere
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MOSFET NVMJS1D7N04C di alto potere MOSFET 40 V, 1.7mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere
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MOSFET NVMJS1D6N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1,36 mOhms, 250 A, singolo N-Manica di potere
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MOSFET NVMJS1D5N04CL di alto potere MOSFET 40 V, 1,55 mΩ, 185 A, singolo N-Manica di potere
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MOSFET NVMJS1D4N06CL di alto potere MOSFET 60 V, 1.4Ω, 220 A, singolo N-Manica di potere
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