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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FDS6675BZ di alto potere MOSFET -30V, -11A, 13mΩ di P-Manica PowerTrench®
Contatto

MOSFET -30V, -11A, 13mΩ del ® di PowerTrench di P-Manica del MOSFET FDS6675BZ di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:38

MOSFET FDS6673BZ di alto potere MOSFET -30V, 14.5A, 7.8mΩ di P-Manica PowerTrench®
Contatto

MOSFET -30V, 14.5A, 7.8mΩ del ® di PowerTrench di P-Manica del MOSFET FDS6673BZ di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:37

MOSFET FDS6670A di alto potere Singolo livello logico PowerTrench® 30V 13A 8mΩ di N-Manica
Contatto

® 30V 13A 8mΩ di PowerTrench del livello logico di N-Manica del MOSFET FDS6670A di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:37

MOSFET FDS6612A di alto potere Singolo N-Manica, livello logico, potere Trench® 30V 8.4A 22mΩ
Contatto

N-Manica del MOSFET FDS6612A di alto potere singolo, livello logico, ® 30V 8.4A 22mΩ della fossa di potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:37

MOSFET FDS6576 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET -20V, -11A, 14mΩ di PowerTrench®
Contatto

Il P-Manica 2.5V del MOSFET FDS6576 di alto potere ha specificato il MOSFET -20V, -11A, 14mΩ del ® di PowerTrench [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:37

MOSFET FDS6575 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET 20V, 10A, 13mΩ di PowerTrench®
Contatto

Il P-Manica 2.5V del MOSFET FDS6575 di alto potere ha specificato il MOSFET 20V, 10A, 13mΩ del ® di PowerTrench [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:58:37

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Circa noi

Circa noi

Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET FDS6673BZ di alto potere MOSFET -30V, 14.5A, 7.8mΩ di P-Manica PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS6670A di alto potere Singolo livello logico PowerTrench<sup>®</sup> 30V 13A 8mΩ di N-Manica
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MOSFET FDS6576 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET -20V, -11A, 14mΩ di PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS6575 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET 20V, 10A, 13mΩ di PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS6375 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato PowerTrench<sup>®</sup> MOSFFET 20V 8A 24mΩ
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MOSFET FDS5672 di alto potere MOSFET 60V, 12A, 10mΩ di N-Manica PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS5670 di alto potere 60V MOSFET 10A, 14mΩ di N-Manica PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS5351 di alto potere MOSFET 60V, 6.1A, 35mΩ di N-Manica PowerTrench<sup>®</sup>
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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

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Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

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MOSFET FDS6675BZ di alto potere MOSFET -30V, -11A, 13mΩ di P-Manica PowerTrench<sup>®</sup> Contatto

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MOSFET FDS6612A di alto potere Singolo N-Manica, livello logico, potere Trench<sup>®</sup> 30V 8.4A 22mΩ Contatto

MOSFET FDS6576 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET -20V, -11A, 14mΩ di PowerTrench<sup>®</sup> Contatto

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MOSFET FDS5672 di alto potere MOSFET 60V, 12A, 10mΩ di N-Manica PowerTrench<sup>®</sup> Contatto

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MOSFET FDS6675BZ di alto potere MOSFET -30V, -11A, 13mΩ di P-Manica PowerTrench<sup>®</sup>
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MOSFET FDS6375 di alto potere Il P-Manica 2.5V ha specificato PowerTrench<sup>®</sup> MOSFFET 20V 8A 24mΩ
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