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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQU5N60C di alto potere N-Manica QFET®, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQU5N60C di alto potere, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:52

MOSFET FQU3N60CTU di alto potere Ω IPAK di N-Manica QFET® 600 V 2.4A 3,4
Contatto

Ω IPAK del ® 600 V 2.4A 3,4 di N-Manica QFET del MOSFET FQU3N60CTU di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:52

MOSFET FQU2N90 di alto potere N-Manica QFET®, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQU2N90 di alto potere, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:52

MOSFET FQU2N60C di alto potere N-Manica, QFET®, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQU2N60C di alto potere, ® di QFET, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:52

MOSFET FQU2N100 di alto potere N-Manica, QFET®, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQU2N100 di alto potere, ® di QFET, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:52

MOSFET FQU20N06L di alto potere Livello logico QFET® 60V 17.2A 42mΩ IPAK di N-Manica
Contatto

® 60V 17.2A 42mΩ IPAK del livello logico QFET di N-Manica del MOSFET FQU20N06L di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:51

MOSFET FQU1N80 di alto potere N-Manica, QFET®, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQU1N80 di alto potere, ® di QFET, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:51

MOSFET FQU1N60C di alto potere N-Manica QFET®, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQU1N60C di alto potere, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQU17P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQU17P06 di alto potere, ® di QFET, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQU13N10L di alto potere MΩ IPAK di N-Manica QFET® 100V 10A 180
Contatto

MΩ IPAK del ® 100V 10A 180 di N-Manica QFET del MOSFET FQU13N10L di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

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Circa noi

Circa noi

Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

Contattici

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MOSFET di alto potere

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Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET FQU5N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK
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MOSFET FQU3N60CTU di alto potere Ω IPAK di N-Manica QFET<sup>®</sup> 600 V 2.4A 3,4
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MOSFET FQU2N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK
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MOSFET FQU2N60C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK
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MOSFET FQU2N100 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK
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MOSFET FQU20N06L di alto potere Livello logico QFET<sup>®</sup> 60V 17.2A 42mΩ IPAK di N-Manica
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MOSFET FQU1N80 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK
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MOSFET FQU1N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK
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MOSFET FQU17P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK
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MOSFET FQU13N10L di alto potere MΩ IPAK di N-Manica QFET<sup>®</sup> 100V 10A 180
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

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MOSFET di alto potere

MOSFET FQU5N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU3N60CTU di alto potere Ω IPAK di N-Manica QFET<sup>®</sup> 600 V 2.4A 3,4 Contatto

MOSFET FQU2N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU2N60C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU2N100 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU20N06L di alto potere Livello logico QFET<sup>®</sup> 60V 17.2A 42mΩ IPAK di N-Manica Contatto

MOSFET FQU1N80 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU1N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK Contatto

MOSFET FQU17P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK Contatto

MOSFET FQU13N10L di alto potere MΩ IPAK di N-Manica QFET<sup>®</sup> 100V 10A 180 Contatto

MOSFET FQU5N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK
Contatto

MOSFET FQU3N60CTU di alto potere Ω IPAK di N-Manica QFET<sup>®</sup> 600 V 2.4A 3,4
Contatto

MOSFET FQU2N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK
Contatto

MOSFET FQU2N60C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK
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MOSFET FQU2N100 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK
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MOSFET FQU20N06L di alto potere Livello logico QFET<sup>®</sup> 60V 17.2A 42mΩ IPAK di N-Manica
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MOSFET FQU1N80 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK
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MOSFET FQU1N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK
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MOSFET FQU17P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK
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