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MOSFET di alto potere

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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQU13N06L di alto potere MΩ di N-Manica QFET® 60 V 11 A 115, IPAK
Contatto

MΩ del ® 60 V 11 A 115 di N-Manica QFET del MOSFET FQU13N06L di alto potere, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:51

MOSFET FQU11P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQU11P06 di alto potere, ® di QFET, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:51

MOSFET FQU10N20C di alto potere N-Manica, QFET®, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQU10N20C di alto potere, ® di QFET, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:51

MOSFET FQT7N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

N-Manica del MOSFET FQT7N10L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT7N10 di alto potere N-Manica, QFET®, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

N-Manica del MOSFET FQT7N10 di alto potere, ® di QFET, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT5P10 di alto potere MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω di P-Manica QFET®
Contatto

MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω del ® di P-Manica QFET del MOSFET FQT5P10 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT4N25 di alto potere N-Manica QFET®, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQT4N25 di alto potere, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT4N20L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET®, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223
Contatto

Livello logico di N-Manica del MOSFET FQT4N20L di alto potere, ® di QFET, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT3P20 di alto potere P-Manica, QFET®, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223
Contatto

P-Manica del MOSFET FQT3P20 di alto potere, ® di QFET, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronic... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:45:50

MOSFET FQT2P25 di alto potere MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω di P-Manica QFET®
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MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω del ® di P-Manica QFET del MOSFET FQT2P25 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronic... Leggi di più Miglior prezzo

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Circa noi

Circa noi

Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

Contattici

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQU13N06L di alto potere MΩ di N-Manica QFET<sup>®</sup> 60 V 11 A 115, IPAK
Contatto

MOSFET FQU11P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK
Contatto

MOSFET FQU10N20C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK
Contatto

MOSFET FQT7N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT7N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT5P10 di alto potere MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup>
Contatto

MOSFET FQT4N25 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT4N20L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223
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MOSFET FQT3P20 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT2P25 di alto potere MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup>
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQU13N06L di alto potere MΩ di N-Manica QFET<sup>®</sup> 60 V 11 A 115, IPAK Contatto

MOSFET FQU11P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK Contatto

MOSFET FQU10N20C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK Contatto

MOSFET FQT7N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 Contatto

MOSFET FQT7N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 Contatto

MOSFET FQT5P10 di alto potere MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup> Contatto

MOSFET FQT4N25 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223 Contatto

MOSFET FQT4N20L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223 Contatto

MOSFET FQT3P20 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223 Contatto

MOSFET FQT2P25 di alto potere MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup> Contatto

MOSFET FQU13N06L di alto potere MΩ di N-Manica QFET<sup>®</sup> 60 V 11 A 115, IPAK
Contatto

MOSFET FQU11P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK
Contatto

MOSFET FQU10N20C di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK
Contatto

MOSFET FQT7N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT7N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
Contatto

MOSFET FQT5P10 di alto potere MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup>
Contatto

MOSFET FQT4N25 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223
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MOSFET FQT4N20L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223
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MOSFET FQT3P20 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223
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MOSFET FQT2P25 di alto potere MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω di P-Manica QFET<sup>®</sup>
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