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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET ad alta potenza NVR1P02 MOSFET di potenza a canale P singolo -20 V, -1 A, 180 mΩ
Contatto

MOSFET -20V, -1A, 180mΩ di potere di P-Manica del MOSFET NVR1P02 di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET ad alta potenza NVMYS9D3N06CL MOSFET di potenza 60 V 9,3 mΩ 51 A Singolo canale N
Contatto

N-Manica del MOSFET 60 V 9.3mΩ 51 A di potere del MOSFET NVMYS9D3N06CL di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS8D0N04C di alto potere N-Manica del mΩ 48 A del MOSFET 40 V 8,0 di potere singolo
Contatto

N-Manica del mΩ 48 A del MOSFET 40 V 8,0 di potere del MOSFET NVMYS8D0N04C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET ad alta potenza NVMYS7D3N04CL MOSFET di potenza 40 V 7,3 mΩ 50 A Singolo canale N
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS7D3N04CL MOSFET di potenza 40 V 7,3 mΩ 50 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS7D0N06C di alto potere N-Manica 1,68 dei mOhms 224 A del MOSFET 60 V di potere singolo
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS7D0N06C MOSFET di potenza 60 V 1,68 mOhm 224 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS6D2N06CL di alto potere N-Manica del MOSFET di potere singolo 60 V 6.2mΩ 69 A
Contatto

Il MOSFET di potere del MOSFET NVMYS6D2N06CL di alto potere sceglie il N-Manica 60 V 6.2mΩ 69 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS5D3N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 5.3Ω 68 A di potere singolo
Contatto

N-Manica del MOSFET 40 V 5.3Ω 68 A di potere del MOSFET NVMYS5D3N04C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS4D6N06C di alto potere N-Manica NVMYS4D6N06CTWG del mΩ 92 A del MOSFET 60 V 4,7 di potere singolo
Contatto

N-Manica NVMYS4D6N06CTWG del mΩ 92 A del MOSFET 60 V 4,7 di potere del MOSFET NVMYS4D6N06C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:19

MOSFET NVMYS4D6N04CL di alto potere N-Manica dei mOhms 78 A del MOSFET 40 V 4,5 di potere singolo
Contatto

N-Manica dei mOhms 78 A del MOSFET 40 V 4,5 di potere del MOSFET NVMYS4D6N04CL di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET ad alta potenza NVMYS4D5N04C MOSFET di potenza 40 V 4,5 mΩ 80 A a canale N singolo
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS4D5N04C MOSFET di potenza 40 V 4,5 mΩ 80 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:18

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Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET ad alta potenza NVR1P02 MOSFET di potenza a canale P singolo -20 V, -1 A, 180 mΩ Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS9D3N06CL MOSFET di potenza 60 V 9,3 mΩ 51 A Singolo canale N Contatto

MOSFET NVMYS8D0N04C di alto potere N-Manica del mΩ 48 A del MOSFET 40 V 8,0 di potere singolo Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS7D3N04CL MOSFET di potenza 40 V 7,3 mΩ 50 A Singolo canale N Contatto

MOSFET NVMYS7D0N06C di alto potere N-Manica 1,68 dei mOhms 224 A del MOSFET 60 V di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS6D2N06CL di alto potere N-Manica del MOSFET di potere singolo 60 V 6.2mΩ 69 A Contatto

MOSFET NVMYS5D3N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 5.3Ω 68 A di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS4D6N06C di alto potere N-Manica NVMYS4D6N06CTWG del mΩ 92 A del MOSFET 60 V 4,7 di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS4D6N04CL di alto potere N-Manica dei mOhms 78 A del MOSFET 40 V 4,5 di potere singolo Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS4D5N04C MOSFET di potenza 40 V 4,5 mΩ 80 A a canale N singolo Contatto

MOSFET ad alta potenza NVR1P02 MOSFET di potenza a canale P singolo -20 V, -1 A, 180 mΩ
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MOSFET NVMYS4D6N06C di alto potere N-Manica NVMYS4D6N06CTWG del mΩ 92 A del MOSFET 60 V 4,7 di potere singolo
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MOSFET NVMYS4D6N04CL di alto potere N-Manica dei mOhms 78 A del MOSFET 40 V 4,5 di potere singolo
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