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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET NVMYS1D6N04CL di alto potere mΩ 40V 1,07 280 A singolo N−Channel
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS1D6N04CL 40 V 1,07 mΩ 280 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:16

MOSFET NVMYS1D3N04C di alto potere Singolo N-Manica 40 V 1.15Ω 252 A
Contatto

IL MOSFET NVMYS1D3N04C di alto potere sceglie il N-Manica 40 V 1.15Ω 252 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:16

MOSFET ad alta potenza NVMYS1D2N04CL 40 V 1,1 mOhm 258 A Canale N singolo
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS1D2N04CL 40 V 1,1 mOhm 258 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:16

MOSFET NVMYS029N08LH di alto potere Singolo mΩ 22 A di N-Manica 80 V 29
Contatto

IL MOSFET NVMYS029N08LH di alto potere sceglie il mΩ 22 A di N-Manica 80 la V 29 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET NVMYS025N06CL di alto potere Singolo N-Manica 60 V 30mΩ 20 A
Contatto

IL MOSFET NVMYS025N06CL di alto potere sceglie il N-Manica 60 V 30mΩ 20 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET ad alta potenza NVMYS021N06CL 60V 21mΩ 27 A Canale N singolo
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS021N06CL 60V 21mΩ 27 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla vendita e assistenza ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET NVMYS020N08LH di alto potere Singolo mΩ 19,1 di N-Manica 80 V 30 A
Contatto

IL MOSFET NVMYS020N08LH di alto potere sceglie il mΩ 19,1 di N-Manica 80 V 30 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET NVMYS016N06C di alto potere 60 mΩ 33 A singolo, N-Manica di V 16
Contatto

MΩ 33 A singolo, N-Manica del MOSFET NVMYS016N06C 60 V 16 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET NVMYS014N06CL di alto potere 60 singoli N-Manica di V 14.5mΩ 42 A
Contatto

N-Manica del MOSFET NVMYS014N06CL 60 V 14.5mΩ 42 A di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

MOSFET NVMYS013N08LH di alto potere MΩ singolo 13,1 di N-Manica 80 V 42 A
Contatto

IL MOSFET NVMYS013N08LH di alto potere sceglie il mΩ 13,1 di N-Manica 80 V 42 A [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:15

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Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET NVMYS1D6N04CL di alto potere mΩ 40V 1,07 280 A singolo N−Channel Contatto

MOSFET NVMYS1D3N04C di alto potere Singolo N-Manica 40 V 1.15Ω 252 A Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS1D2N04CL 40 V 1,1 mOhm 258 A Canale N singolo Contatto

MOSFET NVMYS029N08LH di alto potere Singolo mΩ 22 A di N-Manica 80 V 29 Contatto

MOSFET NVMYS025N06CL di alto potere Singolo N-Manica 60 V 30mΩ 20 A Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS021N06CL 60V 21mΩ 27 A Canale N singolo Contatto

MOSFET NVMYS020N08LH di alto potere Singolo mΩ 19,1 di N-Manica 80 V 30 A Contatto

MOSFET NVMYS016N06C di alto potere 60 mΩ 33 A singolo, N-Manica di V 16 Contatto

MOSFET NVMYS014N06CL di alto potere 60 singoli N-Manica di V 14.5mΩ 42 A Contatto

MOSFET NVMYS013N08LH di alto potere MΩ singolo 13,1 di N-Manica 80 V 42 A Contatto

MOSFET NVMYS1D6N04CL di alto potere mΩ 40V 1,07 280 A singolo N−Channel
Contatto

MOSFET NVMYS1D3N04C di alto potere Singolo N-Manica 40 V 1.15Ω 252 A
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