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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET NVMYS4D1N06CL di alto potere N-Manica dei mOhms 100 A del MOSFET 60 V 4,0 di potere singolo
Contatto

N-Manica dei mOhms 100 A del MOSFET 60 V 4,0 di potere del MOSFET NVMYS4D1N06CL di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:18

MOSFET ad alta potenza NVMYS3D8N04CL MOSFET di potenza 40 V 3,7 mΩ 87 A Singolo canale N
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS3D8N04CL MOSFET di potenza 40 V 3,7 mΩ 87 A Singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:18

MOSFET NVMYS3D5N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 3.3Ω 102 A di potere singolo
Contatto

N-Manica del MOSFET 40 V 3.3Ω 102 A di potere del MOSFET NVMYS3D5N04C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:18

MOSFET NVMYS3D3N06CL di alto potere N-Manica del MOSFET 60 V 3.3Ω 123 A di potere singolo
Contatto

N-Manica del MOSFET 60 V 3.3Ω 123 A di potere del MOSFET NVMYS3D3N06CL di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:17

MOSFET NVMYS2D9N04CL di alto potere N-Manica del mOhm 110 A del MOSFET 40 V 2,8 di potere singolo
Contatto

N-Manica del mOhm 110 A del MOSFET 40 V 2,8 di potere del MOSFET NVMYS2D9N04CL di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:17

MOSFET NVMYS2D4N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 2.4Ω 130 A di potere singolo
Contatto

N-Manica del MOSFET 40 V 2.4Ω 130 A di potere del MOSFET NVMYS2D4N04C di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:17

MOSFET NVMYS2D3N06C di alto potere 60 N-Manica NVMYS2D3N06CTWG del mΩ 176 A di V 2,6 singoli
Contatto

N-Manica NVMYS2D3N06CTWG del mΩ 176 A del MOSFET NVMYS2D3N06C 60 V 2,6 di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:17

MOSFET NVMYS2D2N06CL di alto potere 60 singoli N-Manica di V 2.0Ω 185 A
Contatto

N-Manica del MOSFET NVMYS2D2N06CL 60 V 2.0Ω 185 A di alto potere singolo [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:17

MOSFET ad alta potenza NVMYS2D1N04CL 40 V 2,5 mΩ 132 A Canale N singolo
Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS2D1N04CL 40 V 2,5 mΩ 132 A singolo canale N [Who noi siamo?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd si concentra sull'approvvigionamento di semiconduttori e sulla vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:16

MOSFET NVMYS1D7N04C di alto potere 40V 1,7 mΩ 190 A singolo N−Channel
Contatto

MΩ 190 A singolo N−Channel del MOSFET NVMYS1D7N04C 40V 1,7 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici vendita e ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-26 15:22:16

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Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET NVMYS4D1N06CL di alto potere N-Manica dei mOhms 100 A del MOSFET 60 V 4,0 di potere singolo Contatto

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MOSFET NVMYS3D5N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 3.3Ω 102 A di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS3D3N06CL di alto potere N-Manica del MOSFET 60 V 3.3Ω 123 A di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS2D9N04CL di alto potere N-Manica del mOhm 110 A del MOSFET 40 V 2,8 di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS2D4N04C di alto potere N-Manica del MOSFET 40 V 2.4Ω 130 A di potere singolo Contatto

MOSFET NVMYS2D3N06C di alto potere 60 N-Manica NVMYS2D3N06CTWG del mΩ 176 A di V 2,6 singoli Contatto

MOSFET NVMYS2D2N06CL di alto potere 60 singoli N-Manica di V 2.0Ω 185 A Contatto

MOSFET ad alta potenza NVMYS2D1N04CL 40 V 2,5 mΩ 132 A Canale N singolo Contatto

MOSFET NVMYS1D7N04C di alto potere 40V 1,7 mΩ 190 A singolo N−Channel Contatto

MOSFET NVMYS4D1N06CL di alto potere N-Manica dei mOhms 100 A del MOSFET 60 V 4,0 di potere singolo
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