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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQD3P50 di alto potere P-Manica, QFET®, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQD3P50 di alto potere, ® di QFET, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD3N60CTM-WS di alto potere N-Manica, QFET®, 600 V, 2,4 A, 3,4 Ω, DPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQD3N60CTM-WS di alto potere, ® di QFET, 600 V, 2,4 A, 3,4 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronic... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD30N06 di alto potere N-Manica, QFET®, 60 V, 22,7 A, 45 mΩ, DPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQD30N06 di alto potere, ® di QFET, 60 V, 22,7 A, 45 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD2P40 di alto potere P-Manica QFET®, -400 V, -1,56 A, 6,5 Ω, DPAK
Contatto

® di P-Manica QFET del MOSFET FQD2P40 di alto potere, -400 V, -1,56 A, 6,5 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD2N90 di alto potere N-Manica QFET®, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD2N90 di alto potere, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD20N06 di alto potere N-Manica QFET®, 60 V, 16,8 A, 63 mΩ, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD20N06 di alto potere, 60 V, 16,8 A, 63 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:29

MOSFET FQD1N80 di alto potere N-Manica QFET®, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD1N80 di alto potere, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:28

MOSFET FQD1N60C di alto potere N-Manica QFET®, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD1N60C di alto potere, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:28

MOSFET FQD19N10L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET®, 100 V, 15,6 A, 100 mΩ, DPAK
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Livello logico di N-Manica del MOSFET FQD19N10L di alto potere, ® di QFET, 100 V, 15,6 A, 100 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQD19N10 di alto potere N-Manica QFET®, 100 V, 15,6 A, 63 mΩ, DPAK
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Circa noi

Circa noi

Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQD3P50 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK
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MOSFET FQD3N60CTM-WS di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,4 A, 3,4 Ω, DPAK
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MOSFET FQD30N06 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 22,7 A, 45 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD2P40 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -400 V, -1,56 A, 6,5 Ω, DPAK
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MOSFET FQD2N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, DPAK
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MOSFET FQD20N06 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 60 V, 16,8 A, 63 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD1N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQD3P50 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK Contatto

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