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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQB47P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQB47P06 di alto potere, ® di QFET, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB44N10 di alto potere N-Manica, QFET®, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQB44N10 di alto potere, ® di QFET, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB34P10 di alto potere MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ di Manica QFET® di P
Contatto

MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del ® di Manica QFET del MOSFET FQB34P10 P di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB34N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQB34N20L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB34N20 di alto potere N-Manica, QFET®, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQB34N20 di alto potere, ® di QFET, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB33N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
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N-Manica del MOSFET FQB33N10L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQB30N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
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N-Manica del MOSFET FQB30N06L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB27P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQB27P06 di alto potere, ® di QFET, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB27N25TM_F085 di alto potere N-Manica UltraFET® 250V, 25.5A, 131mΩ
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® 250V, 25.5A, 131mΩ di UltraFET di N-Manica del MOSFET FQB27N25TM_F085 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronic... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQB22P10 di alto potere MOSFET -100V, -22A, 125mΩ di P-Manica QFET®
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MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del ® di P-Manica QFET del MOSFET FQB22P10 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

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Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

Contattici

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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQB47P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB44N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34P10 di alto potere MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ di Manica QFET<sup>®</sup> di P
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MOSFET FQB34N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34N20 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB33N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB30N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB22P10 di alto potere MOSFET -100V, -22A, 125mΩ di P-Manica QFET<sup>®</sup>
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQB47P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB44N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK Contatto

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MOSFET FQB33N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB30N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB27P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB27N25TM_F085 di alto potere N-Manica UltraFET<sup>®</sup> 250V, 25.5A, 131mΩ Contatto

MOSFET FQB22P10 di alto potere MOSFET -100V, -22A, 125mΩ di P-Manica QFET<sup>®</sup> Contatto

MOSFET FQB47P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB44N10 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34P10 di alto potere MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ di Manica QFET<sup>®</sup> di P
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MOSFET FQB34N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34N20 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB33N10L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB30N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB27P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB27N25TM_F085 di alto potere N-Manica UltraFET<sup>®</sup> 250V, 25.5A, 131mΩ
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