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ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

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MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQD18N20V2 di alto potere N-Manica QFET®, 200 V, 15 A, 140 mΩ, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD18N20V2 di alto potere, 200 V, 15 A, 140 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:28

MOSFET FQD17P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -12 A, 135 mΩ, DPAK
Contatto

P-Manica del MOSFET FQD17P06 di alto potere, ® di QFET, -60 V, -12 A, 135 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:28

MOSFET FQD16N25C di alto potere N-Manica QFET®, 250 V, 16 A, 270 mΩ, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD16N25C di alto potere, 250 V, 16 A, 270 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:28

MOSFET FQD13N10L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET®, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK
Contatto

Livello logico di N-Manica del MOSFET FQD13N10L di alto potere, ® di QFET, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQD13N10 di alto potere N-Manica QFET®, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQD13N10 di alto potere, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:27

MOSFET FQD13N06L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
Contatto

Livello logico di N-Manica del MOSFET FQD13N06L di alto potere, ® di QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQD13N06 di alto potere N-Manica, QFET®, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQD13N06 di alto potere, ® di QFET, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:27

MOSFET FQD12N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQD12N20L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQD12N20 di alto potere N-Manica, QFET®, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK
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N-Manica del MOSFET FQD12N20 di alto potere, ® di QFET, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

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MOSFET FQD11P06 di alto potere P-Manica, QFET®, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, DPAK
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Circa noi

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Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

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Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQD18N20V2 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 200 V, 15 A, 140 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD17P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -12 A, 135 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD13N10L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD13N10 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD13N06L di alto potere Livello logico di N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD12N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD12N20 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK
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MOSFET FQD11P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, DPAK
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MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

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MOSFET FQD18N20V2 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 200 V, 15 A, 140 mΩ, DPAK Contatto

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MOSFET FQD12N20 di alto potere N-Manica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 9,0 A, 280 mΩ, DPAK Contatto

MOSFET FQD11P06 di alto potere P-Manica, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, DPAK Contatto

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