Multi-prodotti di Intergrate, servizio completo delle fasi,
Controllo di alta qualità, fullfillment di requisito di cliente

Sales & Support
Richiedere un preventivo - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Casa
Prodotti
Circa noi
Giro della fabbrica
Controllo di qualità
Contattici
Richiedere un preventivo

Categories: Tutte le categorie

Crystal Electronic Component

Diodi e transistor elettronici

Unità MCU del microcontroller

Archiviazione di dati di memoria flash

Connettore del bordo del PWB

Circuito integrato di SMD

Modulo elettronico di Digital

MOSFET di alto potere

Optoelettronica LED

Componenti elettronici passivi

Circuito stampato flessibile di Fpc

Servizio dell\'Assemblea del PWB

Bordo elettronico del visualizzatore digitale

Relè di potere del segnale

DIP switch di SMD

Strumenti dello sviluppatore

Cavo di cavo dell\'UL

Sensori di componente elettronico

assemblee dell\'anello di contatto

Casa Prodotti

MOSFET di alto potere

Tutti i prodotti

Crystal Electronic Component (67)

Diodi e transistor elettronici (26)

Unità MCU del microcontroller (33)

Archiviazione di dati di memoria flash (20)

Connettore del bordo del PWB (21)

Circuito integrato di SMD (159)

Modulo elettronico di Digital (6)

MOSFET di alto potere (2119)

Optoelettronica LED (21)

Componenti elettronici passivi (21)

Circuito stampato flessibile di Fpc (6)

Servizio dell'Assemblea del PWB (2)

Bordo elettronico del visualizzatore digitale (6)

Relè di potere del segnale (12)

DIP switch di SMD (25)

Strumenti dello sviluppatore (6)

Cavo di cavo dell'UL (2)

Sensori di componente elettronico (20)

assemblee dell'anello di contatto (13)

Sono ora online in chat

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

1 2 3 4 5

MOSFET di alto potere

(2119)

MOSFET FQD10N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 200 V, 7,6 A, 380 mΩ, DPAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQD10N20L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 200 V, 7,6 A, 380 mΩ, DPAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:27

MOSFET FQB9P25 di alto potere MOSFET -250 V, -9,4 A, di P-Manica QFET® mΩ 620
Contatto

MOSFET -250 V, -9,4 A, del ® di P-Manica QFET del MOSFET FQB9P25 di alto potere mΩ 620 [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronic... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB8P10 di alto potere P-Manica QFET®, -100 V, -8 A, 530 mΩ, D2PAK
Contatto

® di P-Manica QFET del MOSFET FQB8P10 di alto potere, -100 V, -8 A, 530 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB8N60C di alto potere N-Manica QFET®, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQB8N60C di alto potere, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB7P20 di alto potere P-Manica QFET®, -200 V, -7,3 A, 690 mΩ, D2PAK
Contatto

® di P-Manica QFET del MOSFET FQB7P20 di alto potere, -200 V, -7,3 A, 690 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB5N90 di alto potere N-Manica QFET®, 900 V, 5,4 A, 2,3 Ω, D2PAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQB5N90 di alto potere, 900 V, 5,4 A, 2,3 Ω, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB5N50C di alto potere N-Manica QFET®, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQB5N50C di alto potere, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB55N10 di alto potere N-Manica QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Contatto

® di N-Manica QFET del MOSFET FQB55N10 di alto potere, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:26

MOSFET FQB50N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET®, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, D2PAK
Contatto

N-Manica del MOSFET FQB50N06L di alto potere, livello logico, ® di QFET, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, D2PAK [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB4N80 di alto potere MOSFET 800V, 3.9A, 3.6Ω di N-Manica QFET®
Contatto

MOSFET 800V, 3.9A, 3.6Ω del ® di N-Manica QFET del MOSFET FQB4N80 di alto potere [Chi siamo?] Co. srl di elettronica di Sunbeam (Hong Kong) è fuoco su sourcing a semiconduttore e sui componenti elettronici ... Leggi di più Miglior prezzo

2022-05-30 21:52:25

Page 83 of 212|< << 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 >> >|

Circa noi

Circa noi

Giro della fabbrica

Controllo di qualità

Circuito integrato di SMD

Ricetrasmettitore IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del TI rf di CC2541F256RHAR

Vassoio istantaneo di 8 bit AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP del MICROCHIP MCU di ATMEGA328P-AU

I driver di alta luminosità LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 sorgono il Pin del supporto 48

Archiviazione di dati di memoria flash

Pin SOIC N T/R del pezzo 8 di archiviazione di dati EEPROM I2C 256K di memoria flash 24LC256T-E/SN

MCP della palla di Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRON di MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Archiviazione di dati Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit di memoria flash di M24M01-RMN6TP

Unità MCU del microcontroller

Unità MCU 8 STM8 pungente 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontroller della st di STM8S003F3P6TR

Unità MCU 16 MSP430 pungente 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontroller del TI di MSP430G2211IPW14R

L'unità MCU 32 del microcontroller della st STM32F030CCT6 ha morso il flash dell'ARM Cortex M0 il RISC 256KB

Contattici

Contattici

Richieda una citazione

E-Mail

Sitemap

Sito mobile

MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQD10N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,6 A, 380 mΩ, DPAK
Contatto

MOSFET FQB9P25 di alto potere MOSFET -250 V, -9,4 A, di P-Manica QFET<sup>®</sup> mΩ 620
Contatto

MOSFET FQB8P10 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -100 V, -8 A, 530 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB8N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB7P20 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -200 V, -7,3 A, 690 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB5N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 5,4 A, 2,3 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB5N50C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB55N10 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB50N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB4N80 di alto potere MOSFET 800V, 3.9A, 3.6Ω di N-Manica QFET<sup>®</sup>
Contatto

MOSFET di alto potere

ITS4200SSJDXUMA1 interruttore 1 dei circuiti integrati CI in 1 VERSO L'ESTERNO 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 12V 4.3A 3 del Mosfet P Ch di IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R di si 30V 1.2A 3 del MOSFET N-CH di alto potere di IRLML2803TRPBF

Metropolitana di Pin TO-247AC di si 75V 350A 3 del canale del MOSFET N di potere di IRFP4368PbF Infineon

MOSFET di alto potere

MOSFET FQD10N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,6 A, 380 mΩ, DPAK Contatto

MOSFET FQB9P25 di alto potere MOSFET -250 V, -9,4 A, di P-Manica QFET<sup>®</sup> mΩ 620 Contatto

MOSFET FQB8P10 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -100 V, -8 A, 530 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB8N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK Contatto

MOSFET FQB7P20 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -200 V, -7,3 A, 690 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB5N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 5,4 A, 2,3 Ω, D2PAK Contatto

MOSFET FQB5N50C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK Contatto

MOSFET FQB55N10 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB50N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, D2PAK Contatto

MOSFET FQB4N80 di alto potere MOSFET 800V, 3.9A, 3.6Ω di N-Manica QFET<sup>®</sup> Contatto

MOSFET FQD10N20L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,6 A, 380 mΩ, DPAK
Contatto

MOSFET FQB9P25 di alto potere MOSFET -250 V, -9,4 A, di P-Manica QFET<sup>®</sup> mΩ 620
Contatto

MOSFET FQB8P10 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -100 V, -8 A, 530 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB8N60C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB7P20 di alto potere P-Manica QFET<sup>®</sup>, -200 V, -7,3 A, 690 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB5N90 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 900 V, 5,4 A, 2,3 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB5N50C di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB55N10 di alto potere N-Manica QFET<sup>®</sup>, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB50N06L di alto potere N-Manica, livello logico, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, D2PAK
Contatto

MOSFET FQB4N80 di alto potere MOSFET 800V, 3.9A, 3.6Ω di N-Manica QFET<sup>®</sup>
Contatto